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型号： MT29F2G08ABAEAH4:E TR
制造商： Micron Technology Inc
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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MT29F2G08ABAEAH4:E TR产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MT29F2G08ABAEAH4:E TR由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT29F2G08ABAEAH4:E TR价格参考。Micron Technology IncMT29F2G08ABAEAH4:E TR封装/规格：存储器， FLASH - NAND Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 63-VFBGA (9x11)。您可以下载MT29F2G08ABAEAH4:E TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT29F2G08ABAEAH4:E TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MT29F2G08ABAEAH4:E TR 是美光科技（Micron Technology Inc.）生产的一款NAND闪存存储器，属于并行接口的SLC（单层单元）NAND Flash，容量为2Gb（256MB），采用TSOP封装。该型号以其高可靠性、耐用性和稳定性著称，广泛应用于对数据保存和运行稳定性要求较高的工业与嵌入式场景。

典型应用场景包括：工业自动化设备，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和工业计算机，用于存储固件、配置参数和运行日志；网络通信设备，如路由器、交换机和基站模块，承担系统引导程序和配置文件的存储任务；医疗设备，如便携式监护仪、超声设备等，依赖其长期稳定读写能力保障数据安全；车载电子系统，如车载信息终端、行车记录仪，适用于宽温环境下的可靠运行；消费类电子产品中的高端嵌入式系统，如智能家电、POS机等，用于系统启动和关键数据存储。

由于采用SLC技术，该存储器具备较长的擦写寿命（通常可达10万次）和良好的高低温适应性，适合在恶劣环境下长期工作。同时，其并行接口提供较高的数据传输速率，满足实时性要求较高的应用需求。总体而言，MT29F2G08ABAEAH4:E TR 是一款面向工业级和嵌入式市场的高性能、高可靠性存储解决方案。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
产品分类	存储器
品牌	Micron Technology Inc
数据手册
产品图片
产品型号	MT29F2G08ABAEAH4:E TR
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	63-VFBGA（9x11）
其它名称	557-1486-1
包装	剪切带（CT）
存储器类型	闪存 - NAND
存储容量	2G（256M x 8）
封装/外壳	63-VFBGA
工作温度	0°C ~ 70°C
接口	并联
标准包装	1
格式-存储器	闪存
电压-电源	2.7 V ~ 3.6 V
速度	-